面對美國技術封鎖禁令，儘管中國近年在半導體領域取得一定進展，但在晶片製造能力方面，仍與英特爾、台積電存在明顯差距，甚至曾被艾司摩爾（ASML）執行長Christophe Fouquet評為「落後10到15年」。不過根據外媒報導，中國自主研發的EUV（極紫外光）設備近期取得重大突破。對此，媒體人烏凌翔指出，其它國家研發的技術發表在期刊上終究是別人的，中國自己照做一遍，就算結果不是世界第首創，也是自己掌握的技術，將來不會被境外敵對勢力掐脖子。
烏凌翔在節目《烏鴉笑笑》指出，中國EUV所使用的光波只有13.5奈米，比荷蘭DUV（固態深紫外線）設備所用的光波還要短14倍多，換言之，如果它是一把光雕刻刀，當然比193奈米的這個光雕刻刀，可以刻出更細膩的電子線路。但是13.5奈米的極紫外光有個特性，它很容易被吸收，不僅穿過透鏡的時候會被玻璃吸收，連穿過空氣的時候也會被空氣分子吸收，所以要利用EUV的光刻機，就會跟利用DUV的光刻機技術大大不同，因為不能使用透鏡就必須使用反射鏡，那內部也必須高度真空。
烏凌翔提到，造出EUV有10萬個零件、3000條電線、4萬個螺栓、所用的軟管長達2公里，更麻煩的是所有這些零件都會相互影響，像是，極紫外光會產生熱，反射鏡因此可能熱漲冷縮就變形，所以EUV又設計了極為精密的反射鏡感測器，來隨時偵測這種狀況有沒有發生。
外界好奇，全球半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）不是已經做出EUV，中國為何要尋求技術突破？烏凌翔認為，其一，中國是為了繞開專利的限制，另外一個原因，是既然可能要被迫選擇，當然要想辦法找到成本更低、效率更高的光源技術。
至於中國何時能造出EUV？烏凌翔提到，荷蘭ASML花了17年，中國目前已從荷蘭ASML挖角了大約100位專家，相關的研發在4、5年前就已經展開，所以他認為，有望在未來4、5年，看到EUV的原型機出現，但絕對不是一夜之間。
更多風傳媒獨家內幕：
‧ 台幣飆升誰是苦主？專家示警：這產業明年恐發不出股利 （相關報導： 台幣飆升誰是苦主？專家示警：這產業明年恐發不出股利 ｜ 更多文章 ）
