美國半導體巨頭英特爾（Intel）在24日於加州聖荷西舉行的會議上，宣布最新購買的High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光）曝光機正式投入生產，預估可穩定生產超過3萬片晶圓，該技術不僅能夠提升製造效率、縮小製程節點，也成為英特爾18A製程布局的核心戰略，望透過積極推動技術升級，以重返晶片製程領域的領導地位。
英特爾新設備預估生產超過3萬片晶圓
據外媒《PhoneArena》報導，英特爾過去因延遲導入EUV技術，導致10奈米製程受阻，錯失市場先機，讓台積電與三星趁勢超越，因此，此次不再重蹈7年前錯誤，搶先成為首家導入High-NA EUV曝光機的晶片製造商，展現強烈的技術追趕企圖心。
英特爾首席工程師史蒂夫・卡森（Steve Carson） 透露，High-NA EUV設備的可靠性是傳統EUV設備的2倍，且能以更少的曝光次數完成製程，大幅降低生產時間與成本，而目前該設備將率先應用於生產18A製程的Panther Lake晶片，並計劃進一步擴展至14A製程節點，以強化競爭力。
市場競爭加劇，量產時間成關鍵
據英特爾規劃，18A製程將於2025年下半年正式量產，這與台積電及三星的2奈米製程時間點接近，但英特爾具備背面供電技術（Power Via） 的技術優勢，在短期內有望取得領先。
針對外界關注18A製程良率的問題，知名分析師郭明錤指出，目前PC製造商對Panther Lake工程樣品的測試良率僅達20至30%，仍需進一步提升以確保穩定量產。 （相關報導： 台積電併英特爾恐釀「悲慘結局」？高層憂業務模式差太多…專家曝「這樣做」可說服川普 ｜ 更多文章 ）
然而，市場傳出，博通（Broadcom）有意分割英特爾的設計業務，而台積電則關注其代工廠，這讓英特爾可能面臨重大組織變革，加上其代工服務（IFS） 部門正處於財務壓力之中，投資者對於該公司能否成功轉型為「晶圓代工與設計並行」的模式仍持觀望態度。
