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中國半導體設備傳出最新突破，據中媒《快科技》報導，中國科學院近日成功研發突破性的深紫外光曝光機(DUV)，可發射波長193nm的光子，與目前主流波長一致，理論上能將半導體工藝推進至3奈米，並且在技術上與艾司摩爾（ASML）、佳能（Canon）、尼康（Nikon）等國際大廠不同；不過目前輸出功率、頻率都與商用水準有落差，仍需繼續研發。

中國在美國晶片制裁下積極實現半導體製造自主，而在生產過程最為重要的光刻機發展上，近期傳出有所突破。媒體人烏凌翔在節目《烏鴉笑笑》中提到，中國有一座比較先進的自製光刻機近來已交付中芯（SMIC），推測應是由深圳新凱來所製造出的原型機，不過距離實際的應用，仍有一大段的距離需要克服。

中國半導體技術近日傳出有重大突破，中國工信部月初公布一項通知，內容顯示其國產研發出的氟化氬光刻機，即深紫外光曝光機（DUV），分辨率小於65奈米（nm）、套刻精度小於8奈米，被解讀為可生產8奈米及以下晶片。不過，台大電機博士畢業的科技產業專家「曲博」曲建仲直指，目前中國該款光刻機的製程能力，大該就是落在55奈米到65奈米之間。

中國工業和信息化部（簡稱工信部）近日在官網發布了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」通知，曝光多項重點發展的技術裝備，涵蓋一項國產「氟化氬光刻機」（DUV曝光機），其核心技術指標包括晶圓直徑300mm、照明波長248nm、解析度≦65nm、套刻≦8nm，還傳出已可自主生產「8奈米及以下的晶片」。不料，如今就連中國自家媒體也打臉，此款DUV曝光機其實只能生產65奈米或以下晶片！

中國工業和信息化部公布了一份重大技術裝備推廣目錄，其中包括一項國產「氟化氬光刻機」（DUV光刻機）。這台DUV光刻機的核心技術指標包括：晶圓直徑300mm、照明波長248nm、分辨率≦65nm、套刻≦8nm。中國媒體指出，這意味著中國已可自主生產「8奈米及以下的晶片」。

中國工業和信息化部近日在官方網站發布了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知。該目錄涵蓋了多項國家重點發展的技術裝備，其中包括了積體電路生產領域的重大突破。工信部強調，這些重大技術裝備對國家綜合實力和安全至關重要，要求地方政府加強相關支持政策的協同。

荷蘭首相史庫夫（DickSchoof）8月30日表示，荷蘭政府在決定進一步收緊晶片製造設備對華出口限制時會考慮ASML的經濟利益。

中國通訊科技巨頭華為號稱要超越在中國市佔率90%的輝達A100，卻因為美國制裁因素，再加上中芯國際代工的良率極低、設備頻繁故障，導致華為的第二代AI晶片「昇騰910B」難以擴充產能。

路透社引述2名知情人士報導，美國商務部工業暨安全事務次長埃斯特維茲（AlanEstevez）預計於下週一（4月8日）於荷蘭會晤政府官員及阿斯麥（ASML，下稱艾司摩爾）人員討論服務合約。

香港英文報紙《南華早報》1日引述知情人士說法，報導了北方華創科技集團（NauraTechnologyGroup）正在研發光刻系統的消息，華為也申請了「自對準圖案四重化」（SAQP）的專利。雖然目前還不知道何時會有成果，但《南華早報》說，中國廠商正在嘗試各種變通方法，希望能在沒有艾司摩爾（ASML）光刻機支援的情況下自力生產五奈米晶片，突破美國對中國晶片製造能力的打壓。

拜登政府本周擴大了針對中國晶片行業的限制措施，旨在阻止北京獲得美國尖端技術來加強其軍事力量。過去一段時間，中國半導體設備領域發展迅速，但本土廠商仍缺乏提供EUV等全套設備的能力。

華為推出的新手機用上了中國最大的晶片製造商中芯國際自研的一款7奈米晶片，令西方吃了一驚。美國有可能採取進一步制裁，不過專家認為這不能阻止華為等中國公司參與科技競爭。

華為新推的5G旗艦智慧機Mate60Pro內建先進處理器「麒麟9000s」，暗示中國突破華盛頓的科技管制壁壘，引起全球矚目。然而，美國知名財經網站霸榮（Barron`s）資深科技專欄作家TaeKim認為，中國的晶片問題正在惡化、而不是在改善中。

荷蘭政府在上周五公布了新規定，半導體公司在向國外出售某些類型的晶片製造設備之前，必須獲得政府的批准，這項措施主要瞄準荷蘭設備大廠ASML的深紫外光設備輸出中國的限制。

路透社報導，為限縮中國的晶片產業發展，美國和荷蘭將再次聯手，要求企業出口高階晶片設備到中國應申請許可證。兩國將分別採取哪些措施？對於近期多項出口管制，業界人士怎麼看？

荷蘭半導體設備製造商艾司摩爾（ASML）3日發布新聞稿，已與中芯國際延長銷售半導體製造設備的協議。由於美國人工智慧國家安全委員會（NSCAI）才剛建議美國與荷蘭及日本進行協調，停止向中國銷售晶片製造設備的出口證照，該協議等於打NSCAI一耳光。外界猜測，這可能代表美國總統拜登聯合日本、韓國、歐盟圍堵中國失敗。