# 光刻機  

台積電在23日重量發表下一世代的先進製程技術「A14」，其製程來到1.4奈米，不過也透露A14將不會使用目前最先進的「高數值孔徑極紫外光」（High-NAEUV）曝光機。而外媒《wccftech》對此報導指出，台積電基於成本取捨放棄採用高NA技術，但英特爾將於明年推出的18A製程反而採用，意味著台積電將在採用最新技術方面落後英特爾至少4年，可能會讓對手取得技術競爭優勢。

中美科技戰也隨著關稅緊張而加劇，美國日前限制輝達H20晶片對中出口，對此，分析師蔡明翰在網路節目《Catch大錢潮》上指出，美國當初封殺中國半導體，雖反而讓中國技術高速成長，但隨著無法取得更先進光刻機，中國未來很難再繼續快速突破。

隨著美國總統川普對等關稅威脅升溫，以及市場對AI晶片需求前景轉趨保守，荷蘭半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）今（16）日公布出第一季財報，訂單較上季銳減45%，凸顯半導體產業需求放緩的隱憂。對此，財經作家狄驤發文指出，ASML釋出有極大不確定性的財報，讓2大廠盤前同步大跌，而明天台積電要開法說會，他個人認為驚喜的機率更高。

中國的光刻機進口受禁令管制，而深圳半導體廠商新凱來近期展示其研發的半導體製造設備，更號稱可生產5奈米晶片，對此，前立委雷倩在網路節目《全球大視野》中表示，新凱來的技術背景很硬，除了新亮相的產線，中國近期也有新技術路徑。

中國半導體設備傳出最新突破，據中媒《快科技》報導，中國科學院近日成功研發突破性的深紫外光曝光機(DUV)，可發射波長193nm的光子，與目前主流波長一致，理論上能將半導體工藝推進至3奈米，並且在技術上與艾司摩爾（ASML）、佳能（Canon）、尼康（Nikon）等國際大廠不同；不過目前輸出功率、頻率都與商用水準有落差，仍需繼續研發。

中國在美國晶片制裁下積極實現半導體製造自主，而在生產過程最為重要的光刻機發展上，近期傳出有所突破。媒體人烏凌翔在節目《烏鴉笑笑》中提到，中國有一座比較先進的自製光刻機近來已交付中芯（SMIC），推測應是由深圳新凱來所製造出的原型機，不過距離實際的應用，仍有一大段的距離需要克服。

說起蔡司，大家會直接聯想到的是什麼？眼鏡的鏡片？相機的鏡頭？還是跟台積電有著間接關係的蔡司半導體？不管是那個部門，隨便都是年營收上千萬歐元的事業。這次壹哥前往位在德國符騰堡州（Baden-Württemberg）的上科亨（Oberkochen），做了一次相當難得的蔡司總部直擊與相關訪談，跟大家分享蔡司的過去、現在與未來。

中國哈爾濱工業大學日前在官方新聞網宣布，「放電等離子體極紫外光刻光源」2個項目獲得獲黑龍江省高校和科研院所職工科技創新成果轉化大賽一等獎，顯示被稱為「曝光機心臟」的極紫外（EUV）光源技術有了突破。對此，媒體人唐湘龍分析，中國看似正努力度過美國的科技打壓封鎖，但是今年有可能用彎道的方式，從跟隨者變成走到前面的人。

隨著數位化時代來臨，全球紙張需求逐年下降，傳統紙業面臨嚴峻挑戰。日本紙業龍頭之一的王子控股（OjiHoldings）積極尋求轉型，近年來投入半導體材料領域，運用木材資源開發生質光阻劑（BiomassResist），搶占先進製程市場。該公司計劃在2028年完成商業化，並於2030年達成每年100億日圓的銷售額，成為台積電等全球晶圓代工廠的潛在供應商。

根據全球最大半導體設備商艾司摩爾2024年年報顯示，ASML全年銷售收入達283億歐元，其中系統設備銷售達217.69億歐元，中國採購額即占系統設備銷售收入達41%居冠，台灣僅占11%排名第四，亦即中國在2024年快速躍升為ASML的最大客戶。對此，科技達人曲博在網路節目《論政天下》上指出，儘管本土有供應商，但半導體廠首選仍是跟國外進口，因為任何一家晶圓廠，重點在於良率、賺錢，不會想要花時間去培養本土的供應商、慢慢調品質。

布里安娜・霍爾（BriennaHall）在一家你可能沒聽說過的絕頂重要的公司從事著最有價值的工作。

拜登政府下台前祭出史無前例嚴厲的晶片管制措施，如果川普上台後延續其措施，對全球晶片產業的衝擊與影響也將會是史無前例大，無論那些半導體廠商自我評估的真假對錯，但要不受影響是不可能，即使強如台積電亦無例外，這些措施甚至可能重塑產業與全球貿易體制。

去年秋季，蔡司半導體技術生產股份公司（ZeissSMT）的高管聽到了一些壞消息。中國科技公司華為（HuaweiTechnologies）的獵頭正在試圖挖走該公司的員工。蔡司半導體為功能最強大的半導體生產必需的零部件。

中國半導體技術近日傳出有重大突破，中國工信部月初公布一項通知，內容顯示其國產研發出的氟化氬光刻機，即深紫外光曝光機（DUV），分辨率小於65奈米（nm）、套刻精度小於8奈米，被解讀為可生產8奈米及以下晶片。不過，台大電機博士畢業的科技產業專家「曲博」曲建仲直指，目前中國該款光刻機的製程能力，大該就是落在55奈米到65奈米之間。

中國因為遭到美國晶片管制，製造晶圓的光刻機輸入受限，而北京政府日前宣布中國製光刻機取得重大進展，解析度達到65奈米，帶動中國晶片股本周大漲。對此，分析師楊應超表示，中國成功自產光刻機固然值得他們高興，但重點在於65奈米其實還落後台積電3奈米整整8個世代，這中間的世代差距，中國至少要5到10年才能趕上現在的進度。

中國工業和信息化部（簡稱工信部）近日在官網發布了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」通知，曝光多項重點發展的技術裝備，涵蓋一項國產「氟化氬光刻機」（DUV曝光機），其核心技術指標包括晶圓直徑300mm、照明波長248nm、解析度≦65nm、套刻≦8nm，還傳出已可自主生產「8奈米及以下的晶片」。不料，如今就連中國自家媒體也打臉，此款DUV曝光機其實只能生產65奈米或以下晶片！

中國工業和信息化部公布了一份重大技術裝備推廣目錄，其中包括一項國產「氟化氬光刻機」（DUV光刻機）。這台DUV光刻機的核心技術指標包括：晶圓直徑300mm、照明波長248nm、分辨率≦65nm、套刻≦8nm。中國媒體指出，這意味著中國已可自主生產「8奈米及以下的晶片」。

中國工業和信息化部近日在官方網站發布了「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知。該目錄涵蓋了多項國家重點發展的技術裝備，其中包括了積體電路生產領域的重大突破。工信部強調，這些重大技術裝備對國家綜合實力和安全至關重要，要求地方政府加強相關支持政策的協同。

荷蘭政府上周五表示，將擴展對ASML旗下19070i和1980i深紫外線浸沒式光刻工具的出口限制，使其同去年美國單方面發布的出口限制相一致。

全球半導體設備大廠艾司摩爾所生產的極紫外光曝光機（EUV）被譽為地表最複雜的機器，該公司歷經10年研發，推出最新一代曝光機（HighNAEUV），造價高達3.8億美元（相當新台幣121.3億元）。而HighNAEUV產品管理副總裁史東斯（GreetStorms）是一位敢於向老闆說不的女性主管，她強調，「在艾司摩爾工作最棒的是，公司鼓勵員工勇於思辯，相互挑戰，找出最佳解決方案。」